奈米級CMOS晶片製造
Nanoscale CMOS Manufacturing
學期
112-2
學分
0
學分
當期課號
535220
永久課號
EEIE30083
開課單位
電子研究所
授課教師
林鴻志
校區
光復
類別
選修
上課時間表
| 節 | 週四 |
|---|---|
6 14:20–15:10 | 奈米級CMOS晶片製造 ED220（光復） 3 節連堂 |
7 15:30–16:20 | |
8 16:30–17:20 |
* 根據陽明交大上課時間表所列
概述
本課程講述先進CMOS積體電路製造技術的演進,及過程中電晶體 微縮所遭遇到的問題,包括短通道效應、熱載子效應、寄生電阻/電容、功率耗損等,以及用來解決這些問題的策略,包括使用製程、材料、設備、與新結構/設計等方法,並講述其基本原理與限制。課程的重點是100奈米以下尺寸製造技術,特別是FinFET與GAA等新式元件結構的應用。從1960第一顆MOSFET問世,1980年CMOS成為主流,到現在進入非平面的元件架構,積體電路製造技術的內涵變化甚鉅,透過此課程的說明分析,搭配相關元件物理與先進製程的介紹,讓修習本課程的學生得以了解技術的發展與走向趨勢。
先修科目
已修畢半導體元件物理一學期,及修畢或同時選修積體電路製程或同類課程一學期。
備註
無備註
教學方式
每週三小時教室上課
評分方式
a、 筆試(兩次期中考、一次期末考): 90% b、 課堂表現: 10%
課程大綱
教師未提供此項資料
週次計畫
| 週次 | 主題 |
|---|---|
| 第 1 週 | CMOS Fundamentals: An overview |
| 第 2 週 | CMOS Fundamentals: Device Scaling Trends and Issues (I) |
| 第 3 週 | Planar CMOS: Device Scaling Trends and Issues (II) |
| 第 4 週 | Planar CMOS: Deep Sub-micron Technology |
| 第 5 週 | Planar CMOS: Nanoscale Technology |
| 第 6 週 | Midterm I |
| 第 7 週 | SOI CMOS: An Overview |
| 第 8 週 | Nanoscale SOI CMOS Technology |
| 第 9 週 | FinFET Technology: Operation Principles |
| 第 10 週 | FinFET Technology: Device Fabrication and Structure Evolution |
| 第 11 週 | FinFET Technology: Scaling Trends and Issues |
| 第 12 週 | Midterm II |
| 第 13 週 | FinFET Technology: Practical Manufacturing |
| 第 14 週 | Gate-all-around Device Technology: Process Integration |
| 第 15 週 | Gate-all-around Device Technology: Scaling Trends and Issues |
| 第 16 週 | Final Exam |
教科書
使用自編講義。
Office Hours
- 地點
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